| 研究課題/領域番号 |
20360325
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
曽根 正人 東京工業大学, 精密工学研究所, 准教授 (30323752)
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| 研究分担者 |
肥後 矢吉 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (30016802)
石山 千恵美 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教 (00311663)
柴田 暁伸 京都大学, 工学研究科, 助教 (60451994)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2010年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2009年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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| キーワード | 精密造形プロセス / 半導体配線 / 段差被覆性 / めっき / 微細プロセス技術 / ボトムアップ成長 |
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| 研究概要 |
電解質溶液と超臨界二酸化炭素のエマルジョンを形成して電気めっきを行うことによりSNP技術を開発し、その技術をナノ粒子工学と融合することにより新規な半導体配線技術、発展型SNP(M-SNP)法に発展させた。本研究では、M-SNPの電気化学反応および金属の核発生・成長の基礎を解明することを目的とし、細密高段差被覆性の結晶学的な解析を行った。この研究により、直径60nm、高アスペクト比のホールに銅を埋め込むことに成功し、埋め込まれた銅が欠陥なしであり単結晶であることが明らかにした。
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