| 研究課題/領域番号 |
20360329
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
江利口 浩二 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70419448)
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| 研究分担者 |
斧 高一 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (30311731)
太田 裕朗 京都大学, 工学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
2010年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2009年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2008年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
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| キーワード | 表面界面改質 / 誘電率 / プラズマ / シリコン / 欠陥 / トランジスタ / 誘電関数 / レーザー / 欠陥層 / 界面層 / 分子動力学 / 電気容量 |
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| 研究概要 |
機能デバイスの製造過程において必須の、プラズマによるデバイス表面改質層形成メカニズムについて検討を行い、入射イオンのエネルギー分布関数と表面改質層構造との定量的相関モデルを構築した。本モデルによれば、例えば単結晶Si基板上に形成される表面改質層厚さは、Arプラズマの場合、プラズマ装置に印加するバイアス周波数よりも入射する平均イオンエネルギーに大きく依存することが予測される。我々は、エリプソ分光、光変調反射率分光法、及び電気容量測定手法を用いて、種々のプラズマに暴露したSi基板表面を解析し、本モデルの正当性を実験的にも実証した。本モデルは、表面改質を目的とするプラズマプロセス設計に対して広く応用できるものである。
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