| 研究課題/領域番号 |
20360335
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 愛媛大学 |
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研究代表者 |
豊田 洋通 愛媛大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (00217572)
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| 研究分担者 |
野村 信福 愛媛大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20263957)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2010年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2008年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
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| キーワード | 薄膜プロセス / 液中プラズマ / プラズマ加工 / 表面・界面物性 / 材料加工・処理 |
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| 研究概要 |
液中プラズマ化学蒸着法における膜形成の原理を,基板と液中プラズマ泡の相互作用をハイスピードカメラで観察することによって解明し,均質な膜形成のための条件を提示した.ダイヤモンドや,炭化珪素,窒化アルミニウムなどの化合物半導体を液中プラズマを用いて成膜するための化学反応の制御原理を解明した.液中プラズマ中では大きい電気陰性度の原子と小さいイオン化エネルギーの原子が優先的に化学反応することがわかった.
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