| 研究課題/領域番号 |
20360338
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 北九州工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
山田 憲二 北九州工業高等専門学校, 物質化学工学科, 特任教授 (80101179)
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| 研究分担者 |
松嶋 茂憲 北九州工業高等専門学校, 物質化学工学科, 教授 (80229476)
中村 裕之 北九州工業高等専門学校, 総合科学科, 教授 (70172434)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
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| キーワード | 低温プラズマ / 光触媒 / 可視光 / ナノ構造 / ドーピング / 表面 |
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| 研究概要 |
低温プラズマ表面ナノ構造制御により、以下に示すそれぞれ異なるメカニズムで可視光応答性を示す新規な複合化光触媒を創製した。(1)窒素プラズマ処理により、窒素ドーピング層を表面に持つ酸化チタン・遷移金属ドープ酸化チタンをそれぞれ調製し、バンドギャップの狭窄化を実現させた。(2)有機銅化合物のプラズマCVDによりCu含有層を複合化させた酸化チタンを調製し、可視光励起電子がCuを還元することで多電子還元機能の発現を実現させた。(3)窒素プラズマドーピング層を持つNbドープ酸化チタン(n型半導体)とCuBi_2O_4(p型半導体)の複合化微粒子はそれぞれの半導体の可視光励起により励起電子がn型半導体からp型半導体に移動するZ-スキームを実現させた。
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