| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
|
|---|
| 研究概要 |
ナノスケールの金属イオン伝導を利用した,抵抗スイッチング素子を開発した。酸化物薄膜を用いた素子のスイッチ動作機構は,不均一核形成による金属架橋の構築と,ジュール熱に伴う熱化学的反応による架橋の溶解から成ることを見出した。提案した動作モデルの妥当性は,スイッチ動作の温度変化が古典的な核形成理論によって説明できる事実によって実証された。同様のスイッチ素子が,高分子電解質膜中の金属イオンの伝導を利用して実現された。さらに,光照射によるスイッチング現象もカルコゲナイドガラス膜を用いた素子において観測された。
|
