研究課題
基盤研究(C)
水平付着法により表面被覆率がほぼ100%で高密度に充填された半導体コロイダルドットの単粒子層薄膜を作製することができた。この薄膜をゲート絶縁膜と活性層の問に形成した有機薄膜トランジスタを作製し電気的にドット密度を評価した。その結果、このトランジスタは大きなメモリ効果を有するため有機メモリとしての応用可能性があることがわかった。さらに、素子構造を工夫することによって、世界トップレベルの大きなメモリ効果と高いキャリア移動度が得られた。
すべて 2011 2010 2009 2008 その他
すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (11件) 備考 (4件)
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.50
Jpn.J.Appl.Phys.
巻: 50
40018283299
Jpn. J. Appl. Phys.
Physica E Vol.42
ページ: 2816-2819
Physica E
巻: 42 ページ: 2816-2819
http://www.sys.wakayama-u.ac.jp/mc/semiG/index.php