| 研究課題/領域番号 |
20540310
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
中山 隆史 千葉大学, 大学院・理学研究科, 教授 (70189075)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | ショットキーバリア / 界面 / 第一原理計算 / 電荷中性準位 / シリサイド / 偏析 / ドーピング / 界面欠陷 / 強結合モデル / 原子空孔 / 格子間原子 / 界面構造 / 界面偏析 / InN界面 / オリゴアセン / 拡散 / 析出 / 界面ボンド混成 / 界面ボンド分極 / 混晶化 |
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| 研究概要 |
最近の実験で、従来の理論では全く説明ができないショットキーバリア(金属中の電子を半導体中に入れるために必要なエネルギー)の異常が多数観測された。本研究では、量子力学に基づく大型数値計算を行い、界面で特定の原子が結合すること、界面で化合物が発生すること、界面に不純物が偏析すること等がその原因であることを明らかにし、異常を一般的に予言できる新しい理論を構築した。
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