| 研究課題/領域番号 |
20540313
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
川村 隆明 山梨大学, 理事 (20111776)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | エピタキシャル / 計算物理 / 表面・界面物性 / 結晶成長 / 電子回折 / エピタキシャル成長 / RHEED強度振動 / 分子線エピタキシー / 結晶成長様式 / 反射電子回折 / 半導体薄膜成長 / 反射電子回折波動関数 |
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| 研究概要 |
分子線エピタキシー成長中のRHEED(反射電子回折)強度振動の起源を、波動関数を用いて解明した。その結果、Si(001)面上のホモエピタキシー成長では、基盤層と成長層とから反射してくる電子波の位相差が、GaAs(0001)面上のホモエピタキシー成長では、入射電子に対してステップが平行な場合はステップ密度,垂直な場合は成長層の原子密度が、起源であることを解明した。この結果は今後、ナノ構造物質・デバイス等の作成制御への応用が期待される。
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