| 研究課題/領域番号 |
20540321
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 甲南大学 |
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研究代表者 |
市田 正夫 甲南大学, 理工学部, 准教授 (30260590)
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| 研究分担者 |
青木 珠緒 (松本 珠緒) 甲南大学, 理工学部, 准教授 (80283034)
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| 連携研究者 |
齋藤 伸吾 情報通信研究機構, 未来CT研究所, 主任研究員 (80272532)
片浦 弘道 産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 研究グループ長
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / THz光 / テラヘルツ光 / 光学応答 / 非線形光学応答 |
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| 研究概要 |
高純度に分離精製された半導体および金属単層カーボンナノチューブにおいて、THz光領域から紫外光領域までの吸収スペクトルの測定を行った。金属カーボンナノチューブでは0.06eV付近に幅の広い吸収帯が観測された。これは、金属単層カーボンナノチューブがバンドルを作ることによって生じた擬ギャップや、アームチェア型以外の「金属」チューブが持つ小さなギャップがその起源であることが考えられる。一方、高純度半導体試料でも同様のエネルギー値にピークを持つ幅の広い吸収帯が観測されたが、その起源は金属チューブと異なり、ナノチューブ中の欠陥によるギャップ内遷移によるものと考えられる。
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