| 研究課題/領域番号 |
20540330
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
李 徳新 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40281985)
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| 研究分担者 |
山村 朝雄 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (20281983)
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| 連携研究者 |
二森 茂樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 強磁場共用ステーション, 主幹エンジニア (60354320)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 磁性 / ウラン化合物 / スピングラス / 磁気メモリー効果 / 磁気緩和 / 磁化率 / 磁気メモリ効果 / f-d(f-p)混成 / f-d(f-P)混成 |
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| 研究概要 |
我々はウラン電子系磁性体における磁気メモリ効果を基礎物性の観点で初めて見出した。本研究では、新規ウラン化合物磁気記憶材料を探索すると共に、非磁性元素無秩序化合物U_2TSi_3とU_2TGa_3(T=遷移金属)および参考化合物R_5T_3Si_7(R=希土類)に対する交流磁化率や磁気緩和など基礎物性を測定し、著しい磁気メモリ効果を観測した。その磁気メモリ効果は、広い温度範囲で観測でき、スピングラス状態でフラストレートした磁気相互作用のランダム凍結により誘起された現象であることを明らかにした。
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