| 研究課題/領域番号 |
20540357
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
西田 宗弘 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 准教授 (10329112)
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| 連携研究者 |
畠中 憲之 広島大学, 大学院・総合科学研究科, 教授 (70363009)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 超伝導材料・電荷密度波 / 素子 / 物性理論 / 量子コンピュータ / 超伝導材料・素子 / 電荷密度波 |
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| 研究概要 |
超伝導系で起こる現象の多くは、量子化された渦電流である量子渦の運動に支配される。この量子渦が対を形成すれば、一種の移動可能な人工分子が実現する。本研究では、量子渦対が生じ得る系として、超伝導/強磁性/超伝導伝送線路と一次元超伝導干渉素子列を考案し、量子渦対の運動の詳細を明らかにした。これにより、強磁性層の磁区構造やラチェット効果を用いて量子渦対の運動制御が可能と分かり、新規量子機能デバイス実現への可能性が開かれた。
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