| 研究課題/領域番号 |
20540386
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
原子・分子・量子エレクトロニクス
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
トン ショウミン 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (80422210)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 原子 / 分子 / 強レーザー / 原子過程の制御 / 光透過性 / アト秒レーザー / 再散乱電子 / 再散乱電子空間分布 / 非逐次電離 / 光電離吸収 / Auger崩壊過程 / 電子と原子イオンの衝突 / クウロンFocusing / 赤外線 |
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| 研究概要 |
第一原理の理論計算によって、(1)強レーザー場における原子・分子再散乱電子の運動量分布を得た。その得られた運動量分布を利用して、ヘリウム原子の非逐次2重電離の過程を解明した。(2)強-レーザー場における原子・分子の光吸収過程のメカニズムを解明した。赤外線による、原子の光透過率をアト秒の範囲での制御方法を提案した。この方法は実験で使われている。
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