| 研究課題/領域番号 |
20540394
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生物物理・化学物理
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| 研究機関 | 岩手大学 |
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研究代表者 |
長谷川 正之 岩手大学, 工学部, 特任教授 (00052845)
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| 研究分担者 |
西館 数芽 岩手大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90250638)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / グラフェン / 金属表面 / 密度汎関数理論 / 電荷移動 / 吸着 / 電子構造制御 / ドーピング / 第一原理電子構造計算 / 断面変形 / 半導体-金属転移 / ナノセンサー / 量子井戸 |
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| 研究概要 |
本研究では、密度汎関数理論に基づく第一原理計算の手法を用いて、カーボンナノチューブの断面変形特性および変形に伴う電子構造変化の普遍的な様相を明らかにした。また、種々の金属表面に吸着したカーボンナノチューブとグラフェンの界面構造および電荷移動によるドーピング効果の系統的な解析を行い、新たに展開した現象論的なモデルを用いてその微視的機構を解明した。これらの結果は、カーボンナノ構造体の工学的応用において重要な指針になると期待される。
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