| 研究課題/領域番号 |
20550003
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物理化学
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| 研究機関 | 室蘭工業大学 |
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研究代表者 |
古賀 俊勝 室蘭工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90113688)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 電子対密度関数 / 電子対動径密度関数 / 内電子密度関数 / 外電子密度関数 / 電子対空孔 / 電子対動径和密度関数 / 電子対動径差密度関数 / 電子対対峙空孔 / 曲線電子空孔 / 曲面電子空孔 / 置換対称性 / 対峙空孔 / 対称性空孔 |
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| 研究概要 |
電子対密度関数の理論的研究により、新たに種々の電子対空孔が存在することを発見した。また、電子対密度関数から内電子密度関数と外電子密度関数あるいは電子対動径和密度関数と電子対動径差密度関数などの新たな密度関数を誘導し、電子構造解明におけるこれらの有用性を原子系に対して報告した。
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