| 研究課題/領域番号 |
20550057
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機化学
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| 研究機関 | 横浜国立大学 |
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研究代表者 |
山口 佳隆 横浜国立大学, 工学研究院, 准教授 (80313477)
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| 研究分担者 |
浅見 真年 横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (20134439)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | NHCカルベン / キラル二座配位子 / 不斉アリル位アルキル化反応 / ハイブリッド型NHC配位子 / インデニル-NHC配位子 / キレート型単核錯体 / 架橋型二核錯体 / ビス(イミダゾリウム)塩 / 不斉アリル立アルキル化反応 / NHC-BEt_3化合物 / NHC-Ag錯体 / 異核二核錯体 / ビス(ベンズイミダゾリウム)塩 / キラル2座配位子 / C_2対称型錯体 / トリエチルボラン付加体 / インデニルーNHC配位子 |
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| 研究概要 |
キラルなo-キシリレンジオールを架橋部位として利用した二座NHC配位子とその金属錯体の合成を行った。本配位子とパラジウム錯体からなる触媒系を用いて、アリル位アルキル化反応を行ったところ、目的物を87%、80%eeの収率で得た。インデニル-NHCのハイブリッド型配位子を用いた金属錯体の合成を行った。NHC部位をBEt_3で保護することにより、金属への段階的な配位が可能となり、キレート型単核錯体および架橋型二核錯体の合成に成功した。
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