| 研究課題/領域番号 |
20560001
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 岩手大学 |
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研究代表者 |
内藤 智之 岩手大学, 工学部, 助教 (40311683)
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| 連携研究者 |
藤代 博之 岩手大学, 工学部, 教授 (90199315)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 超伝導バルク磁石 / パルス着磁 / 磁束ダイナミクス / 磁束ピン止め / 臨界電流密度 / 元素置換効果 / 超伝導バルク |
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| 研究概要 |
超伝導バルク体にパルス磁場を印加したときの量子化磁束の振る舞いに対する知見を得るために局所磁束密度および局所温度を複数箇所で測定した。その結果、量子化磁束はバルク端部のみならず表面からも侵入することが明らかとなった。また、バルク体を小片試料に切り分けて測定した局所的な臨界電流密度分布は、パルス着磁で実現される不均一な捕捉磁場分布と矛盾せず、量子化磁束は低磁場ではピン止めが弱い領域に高磁場では強い領域に捕捉されるということが明らかとなった。
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