| 研究課題/領域番号 |
20560009
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 鳥取大学 |
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研究代表者 |
安東 孝止 鳥取大学, 工学研究科, 教授 (60263480)
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| 研究分担者 |
阿部 友紀 鳥取大学, 工学研究科, 准教授 (20294340)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 紫外光波帯APD素子 / ワイドギャップ化合物半導体APD素子 / 有機-無機複合型APD素子 / 化合物半導体MBE成長 / ワイドギャップ化合物半導体AME成長 / 紫外APD / (ZnSSe-APD / ZnSSe-PIN型APD / 低動作電圧APDワイドギャップ半導体APD / ZnSSe-APD / 低動作電圧APD |
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| 研究概要 |
シリコン(Si)に代わる新規なワイドギャップ化合物半導体による紫外光波帯の高感度光検出素子を高品質ZnSSe結晶薄膜のMBE成長をベースにして開発した。PIN構造の紫外検出素子において350nmの紫外線波長で60%を超える外部量子効率を得た。また、APD素子では新規に有機-無機ハイブリッド構造を提案し、紫外で初めてのAPD動作の検証に成功した。
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