| 研究課題/領域番号 |
20560011
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
佐道 泰造 (2010) 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
権丈 淳 (2008-2009) 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, テクニカルスタッフ (20037899)
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| 研究分担者 |
権丈 淳 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, テクニカルスタッフ (20037899)
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 半導体 / SiGe / ディスプレイ / 電子デバイス・機器 / 集積回路 / シリコンゲルマニウム / 薄膜トランジスタ |
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| 研究概要 |
本研究では、ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化を目的として研究を推進した。結晶方位の制御されたSiGe結晶を形成する手法、及びSiGe半導体上への歪みエピタキシャル成長を検討した。更に、SiGe薄膜トランジスタの要素プロセスを検討し、S/D電極をシリサイド接触とした高速薄膜トランジスタの作製プロセスを構築した。
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