| 研究課題/領域番号 |
20560013
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 北海道工業大学 |
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研究代表者 |
今井 和明 北海道工業大学, 創生工学部, 教授 (40001987)
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| 研究分担者 |
木村 信行 北海道工業大学, 創生工学部, 教授 (10204984)
澤田 孝幸 北海道工業大学, 創生工学部, 教授 (40113568)
鈴木 和彦 北海道工業大学, 創生工学部, 教授 (30226500)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 半導体 / ZnSe-ZnTe超格子 / II-VI族半導体 / 超格子 / Type-IIバンド構造 / MBE成長 / 光強度変調 |
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| 研究概要 |
Type-IIであるZnSe-ZnTe超格子に二重サブバンド(DSB)構造を持たせると光強度の変調効果を示す。この超格子はその構造に依存するものの、例えば8Kにおいて1.8と2.1eVに2つの基底状態を持つ。基板部分の約1mmφを取り除かれた資料はHe-Neレーザー光(1.96eV)を吸収されながらも透過する。その部分に1.96eVより大きなエネルギーのレーザー光を照射すると、透過していたHe-Neレーザー光の等価強度が10%ほど増加する。
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