| 研究課題/領域番号 |
20560017
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 福井工業大学 |
|---|
研究代表者 |
梅野 正隆 福井工業大学, 工学部, 教授 (50029071)
|
|---|
| 研究分担者 |
志村 考功 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90252600)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
|
|---|
| キーワード | 結晶評価 / 歪シリコンウエーハ / X線回折 / トポグラフィ / 歪シリコン / 酸化濃縮 / 放射光 / 逆格子マッピング |
|---|
| 研究概要 |
LSIの高速化に期待される歪シリコンウエーハの極薄歪層の結晶性と歪量をウエーハ全面で評価する手法を確立することを目標とした。放射光X線トポグラフによりウエーハ全面の歪分布を求め、歪量は逆格子マップから求めた。入射角を変えた一連のX線CCD画像から各位置でのロッキングカーブを求め、そのピーク位置、半値幅、積分強度を画像化した。これより市販の代表的な歪シリコンウエーハには0.1%程度の<110>に平行な結晶面の傾きが存在すること、歪量は約0.75%でほぼ一様であることを明らかにし、所期の目標を達成した。
|
