| 研究課題/領域番号 |
20560020
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
池田 進 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 准教授 (20401234)
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| 連携研究者 |
和田 恭雄 東洋大学, 大学院・学際・融合科学研究科, 教授 (50386736)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 有機半導体 / グラフォエピタキシー / 結晶成長 / 面内配向制御 / 電子デバイス / セクシチオフェン / 分子動力学シミュレーション / 薄膜トランジスタ |
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| 研究概要 |
有機半導体薄膜を用いた電子デバイスの性能向上を目的として、有機分子系のグラフォエピタキシー現象に関する検討を行った。電子線リソグラフィー技術で基板表面に周期的溝をパターニングし、その基板上に分子線蒸着法によって薄膜成長することで、有機半導体がグラフォエピタキシャル成長(面内配向成長)することを実証した。更に、基板表面の化学的な修飾によって面内方位が変化することを見出し、有機分子系特有のメカニズムに関する知見も得ることができた。
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