| 研究課題/領域番号 |
20560024
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | いわき明星大学 |
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研究代表者 |
井上 知泰 いわき明星大学, 科学技術学部, 教授 (60193596)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2008年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 薄膜 / 方位選択エピタキシャル成長 / 方位選択成長 / エピタキシ / 反応性スパッタ / 電子ビーム照射 / 吸収電流像 / エピタキシャル成長 |
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| 研究概要 |
シリコン(100)基板上の二酸化セリウム(CeO_2)薄膜のエピタキシャル成長において、基板表面電位分布制御により成長する結晶面方位を自由に選択可能となる、方位選択エピタキシの研究を進めた。成長する面方位の空間分布を変化させる狙いから、電子ビームを照射する方法を採用し、本研究で導入した吸収電流像モニタを利用して、電子ビーム照射領域の大きさと位置を制御し、同一基板上にCeO_2(100)とCeO_2(110)領域を二次元制御して形成することに成功した。
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