| 研究課題/領域番号 |
20560025
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京都市大学 |
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研究代表者 |
丸泉 琢也 東京都市大学, 工学部, 教授 (00398893)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 界面 / 材料シミュレーション / MOSFET / 絶縁膜 / 欠陥構造 / VASP法 / ハフニウム酸化物 / 元素添加 / SAC-CI法 / 励起エネルギ / NBTI / 半導体絶縁膜界面 / 電荷移動 / 活性化エネルギー |
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| 研究概要 |
半導体基本素子であるMOS(Metal Oxide Semiconductor)を構成するゲート絶縁膜、シリコン、そして両者の界面に存在する欠陥構造を対象に、第一原理計算を用いて、その特性を評価した。具体的な系として、Si/SiO_2界面のPbセンター、Si基板中のボロンクラスタ(B_<12>)、そしてハフニウム絶縁膜中の酸素欠損、ハフニウム欠損の3種類の欠陥について詳細な検討を行い、その特性を明らかとした。
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