| 研究課題/領域番号 |
20560027
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
吉武 道子 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 主席研究員 (70343837)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 酸化物 / 極性面 / 界面終端 / バンドオフセット / XPS / UPS / 界面形成プロセス / バンドアライメント / 光電子分光法 / エピタキシャル成長 |
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| 研究概要 |
次世代のコンピュータに用いられるLSI用の絶縁膜や、太陽電池に用いられる透明導電性膜など、酸化物エレクトロニクス材料‐電極金属界面はデバイスの性能を決定付ける重要な要因である。これらの酸化物は酸素Oと構成金属元素Aから成っており、電極金属Bと界面で結合するに当たり、A-O-BとO-A-Bの異なる結合が可能である。本研究では、界面たった一原子層の厚みで、どちらの結合ができるかによってデバイスの性能が決定的に違うことを明らかにし、様々な酸化物と金属について、界面にどちらの結合ができるかを予測する方法を見出した。
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