| 研究課題/領域番号 |
20560066
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 埼玉大学 |
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研究代表者 |
荒居 善雄 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (70175959)
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| 研究分担者 |
尾笹 一成 理化学研究所, 前田バイオ工学研究室, 専任研究員 (10231234)
荒木 稚子 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (40359691)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 半導体量子ドット / ナノスケール歪測定 / ナノスケール押込み / 歪ハミルトニアン / 発光強度 |
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| 研究概要 |
ナノプローブの押し込みにより量子ドット個々からの発光に対応した微細なピークを持つ発光スペクトルが増強される現象が測定された。ナノプローブの押し込み位置の変化に伴う個々の量子ドットからの発光エネルギーの連なりを描くことにより、個々の量子ドットの位置を同定することが可能である。本研究で開発した円筒形状のナノプローブを用いた場合、発光エネルギーの連なりに極大点が現れることから、直接ナノスケールで量子ドットの位置を測定することが出来た。
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