| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2009年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| 研究概要 |
本研究では,SiC-MOSFETのような次世代超高速スイッチング素子を使用することを想定し,高dv/dtスイッチング動作に対応できる電力変換器を開発するとともに,その周辺回路技術を確立した。その結果,全てのスイッチング素子が同電位で駆動される新規トポロジー提案し,ゲートドライブ回路におけるコモンモードノイズ電流を1/5に低減するマルチコアトランス絶縁電源を開発した。
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