| 研究課題/領域番号 |
20560287
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 弘前大学 |
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研究代表者 |
小野 俊郎 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (30374812)
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| 研究分担者 |
豊田 宏 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (90400126)
福田 幸夫 諏訪東京理科大学, システム工学部, 教授 (50367546)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 作成・評価技術 / MIS / 低温形成 / ECRプラズマ / 誘電体 / 作成評価技術 / プラズマ成膜 / ゲート膜 / 誘電体薄膜 |
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| 研究概要 |
次世代高性能半導体電子デバイスの実現のため、電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance : ECR)スパッタ法を用い、低温プロセスによる高品質なMIS形成技術を検討した。成膜中イオンエネルギー制御により室温成膜のas-depo状態で、理想CVに匹敵するVfbシフトのないCV 特性を実現した。また、Ge-MISへの応用ではミッドギャップにおける固定電荷密度Ditは4.5x1010cm-2・eV-1と極めて小さい値を実現した。
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