| 研究課題/領域番号 |
20560291
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 電気通信大学 |
|---|
研究代表者 |
山口 浩一 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 教授 (40191225)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
|
|---|
| キーワード | 量子ドット / 太陽電池 / 分子線エピタキシー / InAs / GaAs / Ge / Sb / 量子ドッド / Si |
|---|
| 研究概要 |
MBEによるGe(001)基板上への高密度InAs/GaAs系半導体量子ドット(QDs)の自己形成法について検討した。Sb導入したGaAsバッファ層上に7×1010cm-2の高密度InAs QDsを実現した。高密度InAs QDs太陽電池の試作を行い、InAs QD層における長波長帯域での光電流の生成を確認した。さらに、InAs QDs上に有機薄膜の堆積した構造により歪のない表面保護層の役割を確認した。以上の成果は、今後の高効率太陽電池への応用に寄与するものと期待される。
|
