| 研究課題/領域番号 |
20560292
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 新潟大学 |
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研究代表者 |
坪井 望 新潟大学, 自然科学系, 教授 (70217371)
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| 連携研究者 |
大石 耕一郎 長岡工業高等専門学校, 機械工学科, 准教授 (90300558)
田中 久仁彦 長岡技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (30334692)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2008年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 薄膜太陽電池 / カルコパイライト / スパッタ法 / 硫化銅インジウム / 太陽電池 / 薄膜 / 化合物半導体 / 多元系 |
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| 研究概要 |
2組の対向ターゲット対を有するスパッタ装置を構築し,CS_2反応性ガス中でのCuとInの交互堆積により薄膜作製を試みた。組成は交互堆積時間比で(Cu_xS)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3)系で変化し,化学量論組成付近でCuInS_2の基礎吸収端を有する多結晶CuInS_2薄膜が得られた。多元蒸着法によるエピタキシャル薄膜ではCu/In比に加えて格子歪みが薄膜成長過程に関連していた。
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