| 研究課題/領域番号 |
20560294
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 岐阜大学 |
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研究代表者 |
吉田 憲充 岐阜大学, 工学研究科, 准教授 (70293545)
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| 研究分担者 |
野々村 修一 岐阜大学, 工学研究科, 教授 (80164721)
夏原 大宗 岐阜大学, 工学部, 助教 (30444334)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 物性実験 |
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| 研究概要 |
アモルファスシリコンの製膜条件と微結晶シリコンの製膜条件との境界領域で作製したシリコン薄膜における光吸収スペクトルを光熱ベンディング分光法により測定し、光子エネルギー1.4eVを中心とする1.1eVから1.6eVで観測された新しい光吸収について、その起源を調べるための研究を行った。光照射により光吸収が減少するなどの実験結果より、シリコン薄膜中に存在する極微小(4nm以下)のシリコン結晶粒が光吸収の起源と考えられる。
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