| 研究課題/領域番号 |
20560307
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 富山県立大学 |
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研究代表者 |
松田 敏弘 富山県立大学, 工学部, 教授 (70326073)
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| 研究分担者 |
岩田 栄之 富山県立大学, 工学部, 准教授 (80223402)
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| 連携研究者 |
岩坪 聡 富山県工業技センター, 中央研究, 幹研究員 (30416127)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | シリコン / MOS / 発光 / イオン注入 / MOS容量 / エレクトロルミネッセンス / イオン・ビーム・スパッタ / 透明電極 |
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| 研究概要 |
酸化膜にシリコン・イオンを注入したMOS(Metal Oxide Semiconductor)構造を用いて、大規模集積回路(LSI)内に共存できるシリコン系発光素子の研究を行った。電気的特性解析では、シリコン・イオン注入によって電流-電圧特性がヒステリシスを持つことを示した。発光特性解析では、シリコン・イオンの注入量と注入エネルギーによって発光の主要な波長成分が変化することを示し、発光機構モデルを提案した。
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