| 研究課題/領域番号 |
20560308
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
清水 博文 日本大学, 工学部, 教授 (10318371)
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| 研究分担者 |
池田 正則 日本大学, 工学部, 准教授 (10222902)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 作成 / 評価技術 / 表面光電圧 / 多結晶シリコン薄膜 / 結晶性評価 / フラットパネルディスプレイ / 金属誘起電荷 / 酸化膜成長 / 金属不純物 / 表面ポテンシャル / 単結晶シリコン |
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| 研究概要 |
交流表面光電圧(Alternating current surface photovoltage:AC SPV)を用いて,多結晶シリコン(Si)薄膜の結晶性を非接触で評価できる装置を開発した。また,Si単結晶表面を酸化した際の微量の金属不純物[金(Au),鉄(Fe),クロム(Cr)]の挙動についてAC SPV法により明らかにした。更にこれらの金属不純物原子がSi表面における酸化膜成長に及ぼす影響を調べた。
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