電荷密度波ソリトンデバイスの基礎研究

• 研究課題/領域番号: 20560313
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 稲垣 克彦 北海道大学, 大学院・工学研究院, 助教 (60301933)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: 電荷密度波 / ソリトン / 電子デバイス / トポロジカル欠陥 / 非局所伝導 / o-TaS3 / 電子デバイス・機器 / 低温物性 / マイクロ・ナノデバイス

研究概要

電荷密度波の巨視的量子状態を利用したデバイスについての基礎研究を行った。バルク結晶における非局所伝導の実験と微小結晶試料における電極作成技術についての実験を行った。その結果、擬一次元伝導体o-TaS_3における電荷密度波状態に、これまで知られているものとは異なる非局所的伝導が存在することが実験的に明らかになった。この現象は、トポロジカル欠陥の運動として理解することができる。

研究成果

• [雑誌論文] Nonlocaltransport in the chargedensity waves of o-TaS3 (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Inagaki, M.Tsubota, S.Tanda
  • 雑誌名: Physical Review B81 ページ: 113101-113101
• [雑誌論文] Nonlocal transport in the charge density wave of o-TaS3 (2010)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiko Inagaki, 他
  • 雑誌名: Physical Review B 81 ページ: 113101-113101
  • NAID: 120002070607
  • 査読あり
• [雑誌論文] Commensurate-incommensurate transitionof charge density waves in o-TaS3 (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Inagaki, M.Tsubota, K.Ichimura, S.Tanda, K.Yamamoto, N.Hanasaki, Y.Nogami, N.Ikeda, T.Ito, H.Toyokawa
  • 雑誌名: Physica B : Condensed matter 404 ページ: 396-396
• [雑誌論文] Commensurate-incommensurate transition of charge densit y wave in o-TaS_3 (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Inagaki, 他
  • 雑誌名: Physica B 404 ページ: 396-398
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synchrotron X-ray study of charge density waves in o-TaS_3 (2009)
  • 著者名/発表者名: K. hagaki, 他
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 150 ページ: 42068-42068
  • 査読あり
• [雑誌論文] Field-induced discommensuration in charge density waves in o-TaS_3 (2008)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiko lnagaki, 他
  • 雑誌名: Journal of the Physical Society of Jagan 77 ページ: 93708-93708
  • 査読あり
• [学会発表] Non-local transport phenomenon inTaS3 (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Inagaki, M.Tsubota, S. Tanda.
  • 学会等名: International conference onscienceand technology ofsynthetic metals 2010
  • 発表場所: Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-07-06
• [学会発表] 擬一次元導体o-TaS3 における位相すべり電圧 (2009)
  • 著者名/発表者名: 稲垣克彦、坪田雅功、丹田聡
  • 学会等名: 日本物理学会2009年秋季大会
  • 発表場所: 熊本大学、熊本市
  • 年月日: 2009-09-25
• [学会発表] 擬一次元導体o-TaS3における位相すべり電圧 (2009)
  • 著者名/発表者名: 稲垣克彦, 他
  • 学会等名: 日本物理学会2009年秋季大会
  • 発表場所: 熊本大学(熊本市)
  • 年月日: 2009-09-25
• [学会発表] ナノスケール電荷密度波系の作成と電子物性III (2009)
  • 著者名/発表者名: 稲垣克彦, 他
  • 学会等名: 日本物理学会第64回年次大会
  • 発表場所: 立教大学, 東京都豊島区
  • 年月日: 2009-03-27
• [学会発表] ナノスケール電荷密度波系の作成と電子物性III (2009)
  • 著者名/発表者名: 稲垣克彦、東山和樹、丹田聡
  • 学会等名: 日本物理学会第64回年会
  • 発表場所: 立教大学、東京都
  • 年月日: 2009-03-07
• [学会発表] Commensurate-incommensurate transitionof charge density waves in o-TaS3 (2008)
  • 著者名/発表者名: K.Inagaki, M.Tsubota, K.Ichimura, S.Tanda, K.Yamamoto, N.Hanasaki, Y.Nogami, N.Ikeda, T.Ito, H.Toyokawa.
  • 学会等名: International workshop on electronic crystals 2008
  • 発表場所: Institut d'Etudes Scientifiques de Cargese, Cargese, France
  • 年月日: 2008-08-26
• [学会発表] Commensurate-incommensurate transition of charge density wave in o-TaS_3 (2008)
  • 著者名/発表者名: K. lnagaki, 他
  • 学会等名: 5^<th> International Workshop on Electronic Crystals
  • 発表場所: Institut d'Etudes Scientifiques de Cargese, Cargese, France
  • 年月日: 2008-08-26
• [学会発表] Synchrotron X-ray study of charge density waves in o-TaS_3 (2008)
  • 著者名/発表者名: K. lnagaki, 他
  • 学会等名: 25^<th> international conference on Low T emperature Physics
  • 発表場所: RAI convention center, Amsterdam, Netherland
  • 年月日: 2008-08-11
• [備考] ホームページ等
  • URL: http://exp-ap.eng.hokudai.ac.jp/~inagaki/index-j.html