| 研究課題/領域番号 |
20560315
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
高橋 豊 山形大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (00260456)
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| 研究分担者 |
稲葉 信幸 山形大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50396587)
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| 連携研究者 |
稲葉 信幸 山形大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50396587)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 磁気記録 / 磁気緩和係数 / スピン輸送係数 / 強磁性共鳴測定 / 磁気光学カー効果測定 / Fe/GaAs / RFマグネトロンスパッタリング / Fe / GaAs / スピンエレクトロニクス |
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| 研究概要 |
磁性金属/半導体接合系は、将来の磁気記録、スピントロニクス素子において重要な役割を果たすと期待される。本研究では量産レベルで使われるRFマグネトロンスパッタ法を用いてGaAs(001)上にFe(001)薄膜をエピタキシャル成膜できることをXRDにより示し、薄膜の飽和磁化と磁気異方性が単結晶バルクFeと同程度であることをVSM測定により示した。また、FMRにより得られた磁気緩和係数‥は0.003程度で、これまで報告されている最小値に近い値を示すことが分かった。
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