研究課題/領域番号 |
20560321
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 信州大学 |
研究代表者 |
佐藤 敏郎 信州大学, 工学部, 教授 (50283239)
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連携研究者 |
曽根原 誠 信州大学, 工学部, 助教 (30456496)
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研究協力者 |
池田 賢司 太陽誘電株式会社, 研究開発センター, 主任
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研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / 磁性薄膜 / 高周波IC / 無線回路 |
研究概要 |
本研究は、第4世代携帯電話用RF-ICへの適用を目指して、チップサイズパッケージRF-IC集積化マイクロ波帯磁性薄膜デバイスの開発を目的に行ったものであり、高周波磁性材料の開発とデバイスへの応用をとおして、デバイスの特性向上の指針とパッケージへの磁性体導入による近傍誘導ノイズ低減の有用性を明らかにした。また、チューナブルインダクタの基礎検討や集積化電源用パワーインダクタの開発を行い、次世代RF-ICの要素技術の確立に貢献した。
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