大面積注入型無機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスに関する研究

• 研究課題/領域番号: 20560326
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 鳥取大学
• 研究代表者: 市野 邦男 鳥取大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90263483)
• 研究分担者: 大観 光徳 鳥取大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90243378)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2008年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: 光デバイス・光回路 / 薄膜蛍光体 / エレクトロルミネッセンス / ZnS / 蛍光体薄膜 / p型伝導

研究概要

大面積注入型無機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスの作製を最終的な目標として,主にキャリア注入構造と発光層の特性向上を検討した.その結果,前者においては具体的な高効率キャリア注入構造の実現には至っていないが,窒素アクセプタおよび銀を共添加したZnS単結晶薄膜において,将来的なホモpn接合作製につながる結果が得られた.後者について,銅添加ZnS多結晶薄膜発光層において,アルミニウム共添加により光学特性向上の結果が得られた

研究成果

• [雑誌論文] Optical Properties and X-Ray Absorption Fine Structure Analysis of ZnS : Cu, Cl Thin Film Phosphors (2010)
  • 著者名/発表者名: Kunio Ichino, Haruki Kato, Yuichiro Sakai, Koutoku Ohmi,Tetsuo Honma, Jun-ichi Itoh, Asuka Sasakura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] ZnS : N and ZnS : N, Ag grown by molecular beam epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ichino, A.Kotani, H.Tanaka, T.Kawai
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) Vol.7 ページ: 1504-1506
  • 査読あり
• [雑誌論文] ZnS:N and ZnS:N,Ag grown by molecular beam epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ichino
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 巻: Vol.7 ページ: 1504-1506
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical Properties and X-Ray Absorption Fine Structure Analysis of ZnS:Cu,Cl Thin Film Phosphors (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ichino
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.49
  • NAID: 40017253782
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy of Phosphorus-doped ZnS (2008)
  • 著者名/発表者名: Kunio Ichino, Hiroshi Yoshida, Takashi Kawai, Hiroyuki Matsumoto, Hiroshi Kobayashi
  • 雑誌名: J.Korean Phys.Soc. Vol.53 ページ: 2939-2942
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy of Phosphorus-doped ZnS (2008)
  • 著者名/発表者名: Kunio Ichino
  • 雑誌名: J. Korean Phys. Soc. 53 ページ: 2939-2942
  • 査読あり
• [雑誌論文] ZnS : N and ZnS : N, Ag grown by molecular beam epitaxy
  • 著者名/発表者名: K.Ichino
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) (印刷中)
  • 査読あり
• [学会発表] NおよびAg添加ZnSの分子線エピタキシャル成長と評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 黒柳琢真
  • 学会等名: 応用物理学会中国四国支部学術講演会
  • 発表場所: 高知大学(高知県)
  • 年月日: 2010-07-31
• [学会発表] 分子線エピタキシー法によるNおよびAg添加ZnSの作製と評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田中裕隆
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学 湘南キャンパス
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 分子線エピタキシー法によるNおよびAg添加ZnSの作製と評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田中裕隆
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Ag添加ZnSのMBE成長と評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小谷明生
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学 五福キャンパス
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] Ag添加ZnSのMBE成長と評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小谷明生
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] ZnS : N and ZnS : N, Ag grown by molecular beam epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Ichino
  • 学会等名: The 14th International Conference on II-VI Compounds
  • 発表場所: Hotel St.Petersburg (St.Petersburg, ロシア)
  • 年月日: 2009-08-24
• [学会発表] RFプラズマを用いたN添加ZnSのMBE成長と評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小谷明生
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学 筑波キャンパス
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] RFプラズマを用いたN添加ZnSのMBE成長と評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 市野邦男
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 筑波大学筑波キャンパス
  • 年月日: 2009-03-30