| 研究課題/領域番号 |
20560333
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 八戸工業大学 |
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研究代表者 |
嶋脇 秀隆 八戸工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80241587)
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| 研究分担者 |
三村 秀典 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (90144055)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 微小冷陰極 / トンネル電子放射 / エミッションプロファイル / エネルギー分析 / シリコン微結晶 / 真空ナノエレクトロニクス / トンネル放射 / 平面型冷陰極 |
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| 研究概要 |
本研究では、シリコン微結晶系平面型冷陰極の放射電子の発散角およびエネルギー分散が大きい要因を明らかにすべく、放射電子の面内分布計測およびエネルギー分析を行った。その結果、ゲート電極の薄膜化に伴う電圧降下に起因して電子放射領域内のポテンシャル分布が中心部ほど弱くなり、不均一となることが主因であることを明らかにした。平面型冷陰極の高指向化および低エネルギー分散化に向けて、電子放射領域を小さく分割したアレイ構造を提案し、その有効性を実験的に示した。
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