光増幅再生機能を有する波長制御型光分岐挿入多重ノードに関する研究

• 研究課題/領域番号: 20560334
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 上智大学
• 研究代表者: 下村 和彦 上智大学, 理工学部, 教授 (90222041)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
• キーワード: 光デバイス / 光回路 / 波長スイッチ / 光増幅器 / 量子ドット / アレイ導波路 / 有機金属気相成長

研究概要

高速・光増幅再生型光分岐挿入多重ノードを実現するために半導体量子構造内の屈折率変化を利用した波長選択スイッチおよび量子ドット構造を用いた半導体増幅器に関する研究を行った。波長分波機能と出力ポートスイッチング機能を持つ波長スイッチを試作し、その基本的動作を実証した。また量子ドット構造を有する半導体光増幅器のためにダブルキャップ法を用いた歪制御による多層化構造の実現、さらに量子ドット層厚とバッファ層制御によって400nm超帯域を持つLEDを実現し、広帯域半導体増幅器の構造を把握した。

研究成果

• [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure (2011)
  • 著者名/発表者名: F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
  • 雑誌名: J.Crystal Growth vol.318 ページ: 1109-1112
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure (2011)
  • 著者名/発表者名: F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 巻: 318 ページ: 1109-1112
  • 査読あり
• [雑誌論文] Wideband wavelength electroluminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: Y.Saito, T.Okawa, M.Akaishi, K.Shimomura
  • 雑誌名: J.Crystal Growth vol.310 issue 23 ページ: 5073-5076
  • 査読あり
• [雑誌論文] InAs/InP QDs with GaxIn1-xAs cap layer by a double-cap procedure using MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: M.Akaishi, T.Okawa, Y.Saito, K.Shimomura
  • 雑誌名: J.Crystal Growth vol.310, issue 23 ページ: 5069-5072
  • 査読あり
• [雑誌論文] Wide emission wavelength InAs/InP quantum dots grown by double-capped procedure using MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: M.Akaishi, T.Okawa, Y.Saito, K.Shimomura
  • 雑誌名: IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics vol.14, no.4 ページ: 1197-1203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Wavelength switching using GaInAs/InP MQW variable refractive-index arrayed waveguides by thermo-optic effect (2008)
  • 著者名/発表者名: Y.Shimizu, S.Kawabe, H.Iwasaki, T.Sugio, K.Shimomura
  • 雑誌名: IEICE Trans.Electron. vol.E91-C, no.7 ページ: 1110-1116
  • NAID: 10026818682
  • 査読あり
• [雑誌論文] Wide emission wavelength InAs/InP quantum dots grown by double-capped procedure using MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Akaishi, T. Okawa, Y. Saito, K. Shimomura
  • 雑誌名: IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 14 ページ: 1197-1203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Wavelength switching using GaInAs/InP MQW variable refractive-index arrayed waveguides by thermo-optic effect (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Shimizu, S. Kawabe, H. Iwasaki, T. Sugio, K. Shimomura
  • 雑誌名: IEICE Trans. Electron E91-C ページ: 1110-1116
  • NAID: 10026818682
  • 査読あり
• [雑誌論文] InAs/InP QDs with GaxInl-xAs cap layer by a double-cap procedure using MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Akaishi, T. Okawa, Y. Saito, K. Shimomura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 310 ページ: 5069-5072
  • 査読あり
• [雑誌論文] Wideband wavelength electroluminescence from InAs/InP QDsusing double-cap procedure by MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Saito, T. Okawa, M. Akaishi, K. Shimomura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 310 ページ: 5073-5076
  • 査読あり
• [学会発表] InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 三枝知充, 川島史裕, 廣岡雅人, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(27a-P8-6)
• [学会発表] GaxIn1-xAsセカンドキャップ層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの発光特性および形状 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岩根優人, 三枝知充, 廣岡雅人, 川島史裕, 小冷亮太, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(24p-BQ-12)
• [学会発表] 三角ヒーターを用いたGaInAs/InP MQW波長光スイッチの消費電力低減 (2011)
  • 著者名/発表者名: 柳智史, 山崎勇輝, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(24p-KA-3)
• [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造におけるランダムスイッチング動作の数値解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 牧野辰則, 谷村昂, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(24p-KA-2)
• [学会発表] キャリア注入型アレイ導波路におけるスイッチング特性(II) (2011)
  • 著者名/発表者名: 青柳孝典, 谷村昂, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(24p-KA-1)
• [学会発表] InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 三枝知充, 川島史裕, 廣岡雅人, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] GaxIn1-xAsセカンドキヤップ層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの発光特性および形状 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岩根優人, 三枝知充, 廣岡雅人, 川島史裕, 小冷亮太, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 三角ヒーターを用いたGaInAs/InP MQW波長光スイッチの消費電力低減 (2011)
  • 著者名/発表者名: 柳智史, 山崎勇輝, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造におけるランダムスイッチング動作の数値解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 牧野辰則, 谷村昂, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] キャリア注入型アレイ導波路におけるスイッチング特性(II) (2011)
  • 著者名/発表者名: 青柳孝典, 谷村昂, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure (2010)
  • 著者名/発表者名: F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
  • 学会等名: The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)(HJ1)
  • 発表場所: Beijing, China(Invited)
• [学会発表] Wavelength switching in variable index arrayed waveguides using Ti/Au thin film heater (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Murakami, T.Sugio, T.Tanimura, T.Makino, K.Shimomura
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)(8E1-5)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Numerical calculation of wavelength switching in index-varied array waveguide (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Tanimura, T.Sugio, Y.Murakami,T.Aoyagi, K.Shimomura
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)(7P-64)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] witching characteristics in variable refractive-index waveguide array by carrier injection (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Sugio, T.Aoyagi, T.Tanimura, Y.Murakami, K.Shimomura
  • 学会等名: 22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)(WeP21)
  • 発表場所: Takamatsu,Japan
• [学会発表] InAs/InP QDs broadband LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Shimomura, Y.Suzuki, Y.Saito, F.Kawashima
  • 学会等名: 22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)(TuA2-3)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan(Invited)
• [学会発表] Ti/Auヒーターを用いた選択成長アレイ導波路における波長スイッチング特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 村上洋介, 谷村昂, 青柳孝典, 下村和彦
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会(14p-G-2)
  • 発表場所: 長崎大学
• [学会発表] LP-MOVPEによる選択成長とダブルキャップ法およびバッファ層組成変化を用いた広帯域量子ドットLEDの作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 川島史裕, 鈴木勇介, 井上朋紀, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会(19p-E-18)
  • 発表場所: 東海大学
• [学会発表] キャリア注入による階段型屈折率分布アレイ導波路のスイッチング特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 杉尾崇行, 青柳孝典, 谷村昂, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会(17a-N-3)
  • 発表場所: 東海大学
• [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造波長選択スイッチにおけるスイッチング動作の数値解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 谷村昂, 杉尾崇行, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会(17a-N-2)
  • 発表場所: 東海大学
• [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの消費電力低減 (2010)
  • 著者名/発表者名: 村上洋介, 杉尾崇行, 谷村昂, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会(17a-N-1)
  • 発表場所: 東海大学
• [学会発表] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure (2010)
  • 著者名/発表者名: F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
  • 学会等名: The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
  • 発表場所: Beijing, China(Invited)
• [学会発表] Wavelength switching in variable index arrayed waveguides using Ti/Au thin film heater (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Murakami, T.Sugio, T.Tanimura, T.Makino, K.Shimomura
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Numerical calculation of wavelength switching in index-varied array waveguide (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Tanimura, T.Sugio, Y.Murakami, T.Aoyagi, K.Shimomura
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Switching characteristics in variable refractive-index waveguide array by carrier injection (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Sugio, T.Aoyagi, T.Tanimura, Y.Murakami, K.Shimomura
  • 学会等名: 22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
• [学会発表] InAs/InP QDs broadband LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Shimomura, Y.Suzuki, Y.Saito, F.Kawashima
  • 学会等名: 22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan(Invited)
• [学会発表] Growth of InAs Nanowires by MOVPE (2010)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 学会等名: NW-CMOS Workshop
  • 発表場所: Toyama University
• [学会発表] LP-MOVPEによる選択成長とダブルキャップ法およびバッファ層組成変化を用いた広帯域量子ドットLEDの作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 川島史裕, 鈴木勇介, 井上朋紀, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学、神奈川
• [学会発表] キャリア注入による階段型屈折率分布アレイ導波路のスイッチング特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 杉尾崇行, 青柳孝典, 谷村昂, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学、神奈川
• [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造波長選択スイッチにおけるスイッチング動作の数値解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 谷村昂, 杉尾崇行, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学、神奈川
• [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの消費電力低減 (2010)
  • 著者名/発表者名: 村上洋介, 杉尾崇行, 谷村昂, 下村和彦
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学、神奈川
• [学会発表] Waveguide design of variable refractive-index waveguide array demultiplexer and wavelength selective switch (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Iwasaki, T.Sugio, T.Tanimura, K.Takeuchi, K.Shimomura
  • 学会等名: The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009)(ThLP31)
  • 発表場所: Hong Kong
• [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguide wavelength selective switch (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Murakami, Y.Shimizu, T.Sugio, K.Shimomura
  • 学会等名: The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009)(ThA3)
  • 発表場所: Hong Kong
• [学会発表] InAs QDs broadband LED using double-cap procedure and selective MOVPE growth (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Saito, M.Akaishi, T.Inoue, Y.Suzuki, F. Kawashima, K.Shimomura
  • 学会等名: The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009)(WI1)
  • 発表場所: Hong Kong
• [学会発表] Wavelength selective switch using GaInAs/InP MQW variable index arrayed waveguides (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Shimizu, H.Iwasaki, T.Sugio, Y.Murakami, K.Shimomura
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro-Optics International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC 2009)(JTuD48)
  • 発表場所: Baltimore, USA
• [学会発表] Waveguide design of variable refractive-index waveguide array demultiplexer and wavelength selective switch (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Iwasaki, T.Sugio, T.Tanimura, K.Takeuchi, K.Shimomura
  • 学会等名: The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
  • 発表場所: Hong Kong
• [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguide wavelength selective switch (2009)
  • 著者名/発表者名: 村上洋介, 清水優, 杉尾崇行, 下村和彦
  • 学会等名: The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
  • 発表場所: Hong Kong
• [学会発表] InAs QDs broadband LED using double-cap procedure and selective MOVPE growth (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Saito, M.Akaishi, T.Inoue, Y.Suzuki, F.Kawashima, K.Shimomura
  • 学会等名: The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
  • 発表場所: Hong Kong
• [学会発表] Wavelength selective switch using GaInAs/InP MQW variable index arrayed waveguides (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Shimizu, H.Iwasaki, T.Sugio, Y.Murakami, K.Shimomura
  • 学会等名: The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
  • 発表場所: Hong Kong
• [学会発表] InAs/InP QDs using selective MOVPE and double-cap procedure (2009)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 学会等名: NW-CMOS Workshop
  • 発表場所: Sophia University
• [学会発表] ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED (2009)
  • 著者名/発表者名: 鈴木勇介, 川島史裕, 斉藤泰仁, 下村和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 機械振興会館、東京
• [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 杉尾崇行, 岩崎寛弥, 谷村昂, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 機械振興会館、東京
• [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 村上洋介, 清水優, 朱蕾, 杉尾崇行, 下村和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 機械振興会館、東京
• [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチの光導波解析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 谷村昴, 杉尾崇行, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 第70回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 富山大学、富山
• [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの偏波依存性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 村上洋介, 杉尾崇行, 谷村昴, 下村和彦
  • 学会等名: 第70回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 富山大学、富山
• [学会発表] 屈折率分布アレイ型波長選択スイッチにおけるクロストーク特性の改善 (2009)
  • 著者名/発表者名: 杉尾崇行, 谷村昴, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 第70回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 富山大学、富山
• [学会発表] InP(001)基板上におけるMOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLEDの作製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 鈴木勇介, 井上朋紀, 川島史裕, 広岡雅人, 下村和彦
  • 学会等名: 第70回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 富山大学、富山
• [学会発表] ダブルキャップ法lnAs/lnP量子ドットの歪制御層Ga組成依存性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 廣岡 雅人, 赤石 昌隆, 斉藤 泰仁, 下村 和彦
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学、茨城
• [学会発表] 屈折率分布導波路アレイを用いた電流注入型波長選択スイッチの作製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 杉尾崇行, 岩崎寛弥, 谷村昴, 津布久正浩, 下村和彦
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学、茨城
• [学会発表] 熱光学効果型波長選択スイッチのスイッチング特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 村上洋介, 清水優, 朱蕾, 竹内孝太朗, 下村和彦
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学、茨城
• [学会発表] Carrier induced refractive index change in InAs quantum dots on InP (001) substrates (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Sugio, M.Akaishi, K.Shimomura
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)(P28)
  • 発表場所: Lake Saiko, Japan(Poster Session 4)
• [学会発表] Switching characteristics in wavelength switch using selectively grown waveguide array by thermooptic effect (2008)
  • 著者名/発表者名: 11.H. Iwasaki, Y.Shimizu, K.Shimomura
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)(P30)
  • 発表場所: Lake Saiko,Japan(Poster Session 3)
• [学会発表] Dependency of InAs QDs using GaxIn1-xAs second cap layer in the Double-cap procedure (2008)
  • 著者名/発表者名: M.Akaishi, Y.Saito, K.Shimomura
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)(P14)
  • 発表場所: Lake Saiko, Japan(Poster Session 3)
• [学会発表] Selective MOVPE grown semiconductor optical waveguide array and its application for optical devices (2008)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
  • 発表場所: Lake Saiko, Japan(Session Sa1)(Invited)
• [学会発表] Wideband wavelength electro luminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: Y.Saito, T.Okawa, M.Akaishi, K.Shimomura
  • 学会等名: 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Metz, France(Th-B1.2)
• [学会発表] InAs/InP QDs using GaxIn1-xAs cap layer in double-cap procedure by MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: M.Akaishi, T.Okawa, Y.Saito, K.Shimomura
  • 学会等名: 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Metz, France(Tu-P.1)
• [学会発表] InAs/InP QDs using GaxInl-xAs cap layer in double-cap procedure by MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Akaishi, T. Okawa, Y. Sai to, K. Shimomura
  • 学会等名: 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Metz, France
• [学会発表] Wideband wavelength electro luminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Saito, T. Okawa, M. Akaishi, K. Shimomura
  • 学会等名: 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Metz, France
• [学会発表] Selective MOVPE grown semiconductor optical waveguide array and its application for optical devices (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Shimomura
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Worksho (iNOW 2008)
  • 発表場所: Lake Saiko, Japan
• [学会発表] Dependency of InAs QDs using GaxInl-xAs second cap layer in the Double-cap procedure (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Akaishi, Y. Saito., K. Shimomura
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
  • 発表場所: Lake Saiko, Japan
• [学会発表] Switching characteristics in wavelength switch using selectively grown waveguide array by thermooptic effect (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Iwasaki, Y. Shimizu, K. Shimomura
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
  • 発表場所: Lake Saiko, Japan
• [学会発表] Carrier induced refractive index change in InAs quantum dots on InP (001) substrates (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Sugio, M. Akaishi, K. Shimomura
  • 学会等名: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
  • 発表場所: Lake Saiko, Japan
• [学会発表] 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用 (2008)
  • 著者名/発表者名: 斉藤泰仁, 赤石昌隆, 大川達也, 下村 和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] ダブルキャップ法におけるInAs量子ドットのGaxInl-xAsセカンドキャップ層依存性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 赤石昌隆, 斉藤泰仁, 下村和彦
  • 学会等名: 第69回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 中部大学、愛知
• [学会発表] lnP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量 (2008)
  • 著者名/発表者名: 杉尾崇行, 岩崎寛弥, 清水優, 茂木瑞穂, 下村和彦
  • 学会等名: 第69回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 中部大学、愛知
• [学会発表] 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチのスイッチング特性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 清水優, 岩崎寛弥, 杉尾崇行, 下村和彦
  • 学会等名: 第69回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 中部大学、愛知
• [図書] 量子ドットエレクトロニクスの最前線(第2章第5節) (2011)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 出版者: 株式会社エヌ・ティー・エス
• [備考] ホームページ等
  • URL: http://pic.ee.sophia.ac.jp
• [備考]
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