| 研究課題/領域番号 |
20560341
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
城川 潤二郎 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (70469196)
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| 研究分担者 |
金子 昌充 立命館大学, 総合理工学研究機構, 研究員 (70374709)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | GaN / MIS-FET / SiN / interface / trap / inversion layer / KFM / CV / MIS / dipole / in situ SiN / Trap / Interface |
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| 研究概要 |
SiN/GaNのMIS構造に於いて、SiNの成膜方法、プロセスによってSiN/GaN界面の準位がどのように変化するのかを研究した。SiNのストイキオメトリーを変化させることにより、固定電荷の量が変化し、更に、アニール処理によっても変化する。これは、SiNとGaNの界面に於けるN原子密度差によって発生する結晶欠陥によるものと考え、界面dipoleモデルで解釈が可能であることを提案した。
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