| 研究課題/領域番号 |
20560403
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
計測工学
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| 研究機関 | 東洋大学 |
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研究代表者 |
井内 徹 東洋大学, 理工学部, 教授 (20232142)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 放射測温 / 放射率 / 偏光 / 半導体 / 酸化膜 / 窒化膜 / バンドギャップ / シリコンウエハ / in-situ計測 / 背光雑音 / 薄膜 |
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| 研究概要 |
シリコンウエハを対象とした放射測温法として、偏光輝度比による放射率と温度の同時計測法と放射率不変条件による手法が、幅広い比抵抗域、温度域、波長域で成立することを実証した。さらにウエハが半透明体の条件下で、吸収端波長および透過率測定による有望な非接触測温法を見出した。また、エッチング技術により信頼性、精度の高いキャリブレーション用ハイブリッド表面温度センサを開発した。これらの成果により、背光雑音を回避するin-situ 測温システムの構築の準備が完了した。
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