| 研究課題/領域番号 |
20560623
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
粕壁 善隆 東北大学, 国際交流センター, 教授 (30194749)
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| 研究分担者 |
須藤 彰三 東北大学, 理学研究科, 教授 (40171277)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2010年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2009年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2008年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | 不定比化合物 / 窒化物 / 機能性材料 / イオン注入 / その場観察 / 透過電子顕微鏡 / 電子エネルギー損失分光 / 分子軌道計算 |
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| 研究概要 |
Ti薄膜中への62keVの窒素イオン(N_2^+)の注入による窒化チタン(TiN_y)膜の成長過程を原子レベルで明らかにするため、加熱や窒化によるTi薄膜中の水素あるいは窒素組成の変化およびその電子構造の変化を電子エネルギー損失分光法の可能なその場観察透過電子顕微鏡により研究した。Ti 副格子と配位子であるN原子との結合相互作用を考慮することにより次のことを明らかにした。すなわちhcp-Tiへの窒素注入により、hcp-Tiの原子配列の一部を引き継いでfcc-Tiの副格子がエピタキシャル成長し、fcc-Tiの副格子の八面体位置に窒素を吸蔵することで、TiN_yがエピタキシャル成長する。
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