| 研究課題/領域番号 |
20612020
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
量子ビーム
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
光延 信二 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, シニアフェロー (50100821)
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| 研究分担者 |
稲垣 慈美 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 研究員 (40044747)
吉田 光宏 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 助教 (60391710)
和気 正芳 高エネルギー加速器研究機構, 超伝導低温工学センター, 准教授 (90100916)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 超伝導薄膜PLD / 加速器 / 電子源 / 高温超伝導 / バルスレーザー / MgB2 / パルスレーザー / 超伝導薄膜 / PLD |
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| 研究概要 |
本研究では、Nbに続く超伝導加速空洞材料としてMgB2が期待できると考え、高い加速電界と低い電力損失という高周波加速空洞に必要な性能を評価する事を目的としている。6GHz帯の全面MgB2成膜用の空洞を、切断面等の異なる複数の空洞を製作し、空洞内全体の均一なMgB2成膜を行い、超伝導空洞としての性能の評価を行った。超伝導転移する成膜条件の精度を向上させるための試験を行った。また高電界測定を行うサンプルの準備をおこなった。これらの結果についてイタリアで行われた超伝導薄膜のワークショップで現状報告をおこなった。
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