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単結晶刀具の為のSiC結晶成長の研究

研究課題

研究課題/領域番号 20656025
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 生産工学・加工学
研究機関名古屋工業大学

研究代表者

江龍 修  名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (10223679)

研究期間 (年度) 2008 – 2009
研究課題ステータス 完了 (2009年度)
配分額 *注記
2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
2009年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2008年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
キーワードSiC単結晶刀具 / 単結晶成長 / ドーピング / 劈開性制御
研究概要

本年度は1:単結晶材料の非劈開性の史なる向上、2:曲面形状刃先のCMP手法の確立、3:高反応性材料(主にチタン(Ti))との低接触抵抗加工の実現を目的とした。
1:及び2:非劈開性と曲面形状研磨
研究を進めていく間に、刃先のチッピングとCMP研磨仕上がり状態とに強い相関関係があることを見出した。単結晶材の被加工性をダイヤモンド砥石による加工抵抗により観察した結果、ドーピングによって加工抵抗が2倍以上高くなる事を見出した。しかし、チッピング特性は向上しなかった。新規に開発した曲面CMP手法によってすくい面のみではなく逃げ面のCMP加工が可能となった。その結果、チッピング耐性が劇的に向上し、3:に示すTi材の薄線加工が可能となった。
3:Ti材の低接触抵抗加工の実現
上記研究成果により、純Ti並びにβTiを切削速度80m/min、切り込み量0.3mmで切り屑排出量382cc/minを実現出来た。刃先の鋭利化のみではなく、刃先まで単結晶性状となっていることが最も重要であった。Ti用として市販されている超硬チップとの比較では、刃先が欠けるまでの比較において、平均で1.5倍以上の耐力を得ている。
本研究期間内においては化学反応性を評価する手法の開発までには至らなかったが、切り込み深さ3μm、切削速度20m/minにおいて全く切断しない切り屑を排出することが出来た。被切削材表面は、加工直後の体感によれば室温を維持しており、薄片状の切り子が加工硬化を生じていないことから、切削抵抗を極めて小さい状態にすることが出来ていると考える。今後は更に研究を進め、切削加工における刀具と材料との化学反応状態を定量評価したい。

報告書

(2件)
  • 2009 実績報告書
  • 2008 実績報告書
  • 研究成果

    (10件)

すべて 2010 2009 2008

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (7件)

  • [雑誌論文] Effects of the Surface Condition of the Substrates on the Electrical Characteristics of 4H-SiC MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohshima, S.Onoda, T.Kamada, K.Hotta, K.Kawata, O.Eryu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 615-617

      ページ: 781-784

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improvements in Electrical Properties of SiC Surface Using Mechano-Chemical Polishing2009

    • 著者名/発表者名
      K.Hotta, K.Hirose, Y.Tanaka, K.Kawata, O.Eryu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 600-603

      ページ: 823-826

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      発行者 吉田隆, 分担執筆者 江龍修, 他56名
    • 雑誌名

      次世代パワー半導体(株式会社エヌ・ティー・エス)

      ページ: 47-56

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] SBDによる表面原子ステップが及ぼす電気特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
    • 学会等名
      応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-18
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 表面原子ステップがSBD電気的特性に与える影響2009

    • 著者名/発表者名
      田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
    • 学会等名
      応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      神戸国際会議場
    • 年月日
      2009-12-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Siウエハを用いたSiC基板のCMPに及ぼすOの影響2009

    • 著者名/発表者名
      松嶋拓矢, 永利一幸, 江龍修
    • 学会等名
      応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      神戸国際会議場
    • 年月日
      2009-12-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 光励起を用いたSiC加工表面の非接触評価2009

    • 著者名/発表者名
      西尾和真, 永利一幸, 江龍修
    • 学会等名
      応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      神戸国際会議場
    • 年月日
      2009-12-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 単結晶Siウエハを用いたSiC基板のCMP加工2009

    • 著者名/発表者名
      松嶋拓矢, 永利一幸, 江龍修
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 電気的特性に及ぼす表面原子ステップの影響2009

    • 著者名/発表者名
      田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 中小企業との連携による新素材(SiC)切削ツールのイノベーション2008

    • 著者名/発表者名
      江龍修
    • 学会等名
      MOT国際シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2008-11-28
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書

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公開日: 2008-04-01   更新日: 2016-04-21  

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