| 配分額 *注記 |
79,950千円 (直接経費: 61,500千円、間接経費: 18,450千円)
2012年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2011年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2010年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
2009年度: 48,620千円 (直接経費: 37,400千円、間接経費: 11,220千円)
2008年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
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| 研究概要 |
狭い電極-基板間ギャップにガス流れを乱さずに成膜原料ガスを能率的に供給するとともに,ダストの基板表面への付着を抑止できる平行平板型電極システムを開発した.これにより,大気圧超高周波(VHF)プラズマを用いたアモルファス/微結晶 Si,Si の酸化膜および窒化膜の低温・高速・ダストフリー成膜を実証した.開発した電極システムを用いて厚さ 0.125 mm の PEN シート基板上にボトムゲート薄膜トランジスタを試作・評価した結果,基板に熱的ダメージを与えることなく,正常に動作する TFT の作製に成功した.
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