| 研究課題/領域番号 |
20681016
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
大兼 幹彦 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50396454)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2009年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2008年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
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| キーワード | スピンエレクトロニクス / ハーフメタル / ホイスラー合金 / トンネル接合 / スピン注入磁化反転 / ナノ材料 / MBE,エピタキシャル / 超格子 / 超薄膜 / MBE, エピタキシャル |
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| 研究概要 |
Co_2MnSi組成ベースのハーフメタルホイスラー合金電極と酸化マグネシウムを用いたトンネル接合素子において,低温において1275%,室温において350%の磁気抵抗比を得ることに成功した.この磁気抵抗比はハーフメタル電極を用いたトンネル接合で世界最高であり,論理回路に応用可能なスイッチ素子が作製できた.開発した素子を微細加工によって直列接続した回路において,電圧を印加することで磁気抵抗比を大きく変化させることに成功した.このことによって,開発した素子が論理回路に応用できる可能性を示した.
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