| 配分額 *注記 |
24,830千円 (直接経費: 19,100千円、間接経費: 5,730千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2008年度: 19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
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| 研究概要 |
金属とSiの粉末原料に活性金属であるNaを添加して加熱する金属シリサイドの新しい低温合成法を開拓し,熱電特性を有する金属シリサイドであるβ-FeSi_2,MnSi_<1.7+δ>,CoSi,CrSi_2,Mg_2Siの粉末やバルク体が低温(500-900℃)で合成できることを示し,これらの熱電特性を評価した.Na-Si系状態図を作成することで,Na-Si融液が500℃程度の低温でも形成されることが明らかになり,液相のSiが固相の金属と高い反応性を示すために固相反応法よりも低い温度で金属シリサイドが生成する反応機構が明らかになった.この合成手法を用いることで,高融点金属シリサイドであるα-MoSi_2やNbSi_2,準安定相β-MoSi_2の単相粉末試料が,それぞれ800,627,600℃で合成された.また,Nb板をSiとNaとともに加熱することで,耐酸化性を有する緻密なNbSi_2膜がNb板上に作製された.Naを用いた本合成手法が汎用性の高い金属シリサイドの新しい低温合成法であることが示された.
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