研究課題
若手研究(A)
GaMnAsを中心とした強磁性半導体材料における価電子帯構造と量子デバイスに関して、様々な新たな知見を得た。GaMnAs磁気トンネル接合において、2. 6Kにおいて175%という本材料系における本温度領域での最も大きなトンネル磁気抵抗効果を得た。GaMnAs量子井戸に電極を有する3端子デバイスを作製し、量子準位と磁気電流比を制御することに成功した。スピン依存共鳴トンネル分光法を用いてGaMnAsの価電子帯構造を系統的に明らかにすることに世界で初めて成功した。
すべて 2012 2011 2010 2009 2008 その他
すべて 雑誌論文 (18件) (うち査読あり 18件) 学会発表 (62件) 図書 (5件) 備考 (3件)
Journal of Applied Physics
巻: 111 号: 6 ページ: 63716-63721
10.1063/1.3695990
Appl.Phys.Lett.
巻: (to be published)(印刷中)
Nature Phys
巻: 7 ページ: 342-347
Nature Phys.
Phys. Rev. Lett.
巻: 104
Phys.Rev.Lett.
Nature Nanotech.
巻: 5 ページ: 593-596
Appl.Phys.Express
巻: 3
Appl.Phys.Lett. 96
Phys.Rev.Lett. 104(2010年3月31日の段階では、印刷中(掲載確定)であった)
Appl. Phys. Lett.
巻: 96
巻: 95
Appl.Phys.Lett. 95
Phys.Rev.Lett. 100
ページ: 247-202
phys. stat. sol. (c) 5
ページ: 2901-2901
Phys. Rev. B 77
ページ: 214435-214435
J. Appl. Phys. 48
ページ: 23001-23001
Nature 458
ページ: 489-493
http://www.cryst.t.u-tokyo.ac.jp/ohya/index.html