研究課題
若手研究(A)
高性能液晶ディスプレイに用いるゲルマニウム系薄膜トランジスタの実現を目指し、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムの薄膜をマグネトロンスパッタにより成膜した。アルゴンプラズマの成膜では、基板温度250℃以上で結晶化し、アルゴン水素プラズマによる反応性スパッタでは結晶化が阻害されアモルファス膜が得られた。トランジスタを試作した結果、結晶化した薄膜はトランジスタ動作をせず、反応性スパッタによるゲルマニウム薄膜ではトランジスタ動作することを見出した。
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Journal of Vacuum Science & Technology A,, J. Vac. Sci. Technol. A 27
ページ: 653-659
Jpn. J. Appl. Phys. 48
Journal of Vacuum Science and Technology A 27
Japanese Journal of Applied Physics 48
Japanese Journal of Applied Physics 48 (In the press)
ECS Transactions Thin Film Transistors Vol.16No.9
ページ: 183-192