| 研究課題/領域番号 |
20686022
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
杉山 正和 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (90323534)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円)
2010年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2009年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
2008年度: 9,880千円 (直接経費: 7,600千円、間接経費: 2,280千円)
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| キーワード | InGaN / MOVPE / 選択成長 / 多重量子井戸 / 発光ダイオード / 波長シフト / 有機金属気相成長 / GaN / 発光波長制御 / 多色集積 |
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| 研究概要 |
InGaN/GaN多重量子井戸の選択成長において,幅100μm以上の広幅マスクを用いて製膜種の気相拡散効果を有効活用し,発光波長の面内変調を可能にした.その背後にあるメカニズムをGaN,InN,InGaNバルク膜の選択成長の解析を通して明らかにした.さらに広範囲の発光波長変調を狙い,c面GaN上に成長した6角錐表面に出現する非極性面にInGaN/GaN量子井戸を成長する手法を考案し,それを利用した多色発光LEDの試作に成功した.
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