| 配分額 *注記 |
25,610千円 (直接経費: 19,700千円、間接経費: 5,910千円)
2010年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2009年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2008年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
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| 研究概要 |
低温高速エピタキシャル成長を可能とするメゾプラズマ環境が,低電子温度(1eV以下)で有りながら高イオン密度(1014cm-3以上)であり,且つ原子状水素(n=2)が高濃度で空間内に比較的均一に分布することを明らかにした。また水素分圧の増加に対して成膜前駆体ナノクラスター性状は大きく影響受けず,特異なエピタキシャル成長様式も維持されることが判明した。これらの特徴により,従来の基板洗浄を必要とせず,堆積直前の数秒間のプラズマ照射処理だけでエピタキシャル成長が可能となり,堆積後のエピタキシャル膜の電気特性も良好な値が維持可能となる,大面積堆積に有利な特徴を確認した。
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